嵌在SOI底板中的新一代“μ芯片”。芯片尺寸為0.15mm見方、厚7.5μm。

ISSCC 2003上發(fā)表的現(xiàn)有型號(hào)與此次開發(fā)的新芯片的尺寸比較。

新芯片上焊接天線時(shí)的樣子（上）和芯片截面圖。通過(guò)在芯片上下兩面配置電極，實(shí)現(xiàn)了Badge Connection電極焊接。

采用SOI底板的新芯片截面構(gòu)造簡(jiǎn)圖。

新芯片的電路構(gòu)成簡(jiǎn)圖

　　日立制作所開發(fā)成功了無(wú)線標(biāo)簽IC“μ芯片”的新一代產(chǎn)品，并在ISSCC 2006上發(fā)表了技術(shù)概要（演講序號(hào)：17.1）。新一代μ芯片的特點(diǎn)是尺寸小，只有0.15mm見方，厚7.5μm。而2003年ISSCC上表的μ芯片的尺寸為0.3mm，厚69μm。

　　在演講結(jié)束后的提問(wèn)時(shí)間里，美國(guó)Alien科技公司和德國(guó)英飛凌科技公司等從事無(wú)線標(biāo)簽開發(fā)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)人員相繼發(fā)問(wèn)。主要問(wèn)題集中在新一代μ芯片上是否集成了片上天線。如果內(nèi)置片上天線，通信距離就會(huì)多出1mm。雖然與外置天線可實(shí)現(xiàn)的通信距離相比，1mm可以說(shuō)是微不足道，但如果是需要把芯片嵌入IC卡等場(chǎng)合的話，有了這1mm，就可以大大提高無(wú)線標(biāo)簽的易用性。對(duì)此日立制作所解釋說(shuō)：“目前正在進(jìn)行技術(shù)開發(fā)。不過(guò)，同時(shí)還考慮與外置天線型號(hào)同時(shí)提供?！?

外置天線也一次性焊接

　　之所以關(guān)于天線的問(wèn)題接連不斷，其中一個(gè)原因就是：采用SOI底板時(shí)，一般比較難以采用外置天線。SOI底板中的電路的電極只露在芯片的上面。這種情況下，很難使用一次性在多枚芯片上焊接外置天線的“Badge Connection”工藝。如果不能使用該工藝的話，生產(chǎn)成本就會(huì)增加很多。

　　而此次則開發(fā)出了在使用SOI底板的同時(shí)、在芯片的上下兩面同時(shí)加工電極、通過(guò)Badge Connection焊接外置天線的技術(shù)。該公司表示，除片上天線外，該技術(shù)還將運(yùn)用于外置天線。目前已經(jīng)證實(shí)，使用外置天線時(shí)，可確保48cm的通信距離。“使用SOI底板的新一代產(chǎn)品也可以每次1萬(wàn)左右一次性焊接外置天線。作為外置天線來(lái)說(shuō)，成本的增加當(dāng)然也就不多了”（日立制作所中央研究所主管研究員宇佐見光雄）。